АНАЛІЗ ПАРАМЕТРІВ ІМПУЛЬСНОГО ЖИВЛЕННЯ ТА ПОТОКУ ВИПРОМІНЮВАННЯ СВІТЛОДІОДНИХ ДЖЕРЕЛ СВІТЛА

Анотація

Напівпровідникові джерела світла охоплюють різні сфери застосування від зовнішнього і побутового освітлення до дисплеїв комп’ютерних систем та портативної електроніки, від світлових приладів автомобілів до опромінювальних систем в аграрному секторі. У всіх цих середовищах їх виділяє висока енергетична ефективність, спрощена система живлення та керування. Щоб уникнути коливань світлового потоку при постійному струмі живлення і великій крутизні ВАХ прямого зміщення діода, виникає необхідність стабілізації струму, що приводить до додаткових енергетичних затрат та ускладнень системи керування світловим потоком. Перевагу отримують імпульсні системи живлення з широтною модуляцією імпульсів (ШІМ). В даній статті проведено аналіз параметрів системи ШІМ-живлення однополярними імпульсами прямокутної форми та залежності світлового потоку при їх зміні. Встановлено, що при струмах інжекції 0,43 – 1,45 мА світловий потік лінійно зростає з коефіцієнтом k=0,179, що пояснюється мономолекулярним механізмом рекомбінації. При подальшому збільшенні струму інжекції, спостерігається нелінійне зростання світлового потоку, що описується поліномом третього порядку.