ОЦІНЮВАННЯ ЯКІСНОГО ВПЛИВУ ФАКТОРІВ НА ЧУТЛИВІСТЬ ВОЛОГОЧУТЛИВОГО МДН-КОНДЕНСАТОРА НА ОСНОВІ АМОРФНОГО СИЛІЦІЙ(IV) ОКСИДУ
DOI:
https://doi.org/10.31891/2307-5732-2024-339-4-53Ключові слова:
багатофакторний дисперсійний аналіз, фактор, відгук моделі, критерій Фішера, чутливість, аморфний силіцій(IV) оксид, діаметр пор, пори, поруватий SiO2Анотація
В роботі застосовано багатофакторний дисперсійний аналіз для оцінювання якісного впливу факторів: товщина шару вологочутливого аморфного силіцій(IV) оксиду; діаметр пор вологочутливого аморфного силіцій(IV) оксиду, а також їх сумісний вплив на чутливість вологочутливого МДН-конденсатора на основі аморфного силіцій(IV) оксиду. Розроблено багатофакторний план для двох якісних факторів. З використанням багатофакторного дисперсійного аналізу доведено, що на відгук моделі, тобто на чутливість вологочутливого МДН-конденсатора на основі аморфного силіцій(IV) оксиду впливає фактор − це діаметр пор вологочутливого аморфного силіцій(IV) оксиду. В цьому випадку значення критерію Фішера, яке спостерігається в експерименті значно перевищує критичне значення критерію Фішера, а саме, F >Fкр (16,44>4,75). Різниця в значеннях відгуку моделі пов’язана тільки зі зміною значення фактора. Вплив таких факторів – це товщина шару вологочутливого аморфного силіцій(IV) оксиду, сумісний вплив: товщина шару вологочутливого аморфного силіцій(IV) оксиду + діаметр пор вологочутливого аморфного силіцій(IV) оксиду є несуттєвим, тобто різниця в значеннях відгуку моделі обумовлена тільки випадковим характером (F < Fкр). На основі дисперсійного аналізу доведено, що на чутливість вологочутливого МДН-конденсатора на основі аморфного силіцій(IV) оксиду впливає тільки розмір пор аморфного силіцій(IV) оксиду.
