СТАБІЛІЗАЦІЯ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРНИХ АНАЛОГІВ ІНДУКТИВНОСТІ

Анотація

У статті проаналізовано методи стабілізації параметрів транзисторних аналогів індуктивності(ТАІ), визначено їх переваги та недоліки. Розглянуто шляхи реалізації завдяки яким вдається ослабити вплив всіх дестабілізуючих факторів, таких як температура, нестабільність джерел живлення, виробничий розкид параметрів, зміну параметрів внаслідок старіння та інших. Виокремлені універсальні засоби для стабілізація параметрів усіх транзисторних пристроїв. Розглянуті стабілізація робочого режиму на постійному струмі та негативний зворотній зв’язок (НЗЗ) на змінному струмі. Здійснено оцінку режиму нестабільності параметрів ТАІ по величині приросту еквівалентної індуктивності та добротності. Визначена методика при стабілізації параметрів ТАІ, а також пристроїв надвисоких частот, в кожному конкретному випадку описана необхідність вибору допустимої нестабільність робочої точки, здійснення розрахунку нестабільності параметрів, що очікується, після чого задля отримання заданої стабільності введення негативного зворотнього зв’язку по змінному струму. Наведені графіки залежності еквівалентної добротності від температури та графіки залежності еквівалентної індуктивності від температури. Наведено вираз приросту індуктивності у випадку, коли основну дестабілізуючу дію на робочий режим транзистора здійснює зміна зворотнього струму колектора, коефіцієнт передачі по струму, напругу колектор – база, напругу емітер – база, струм емітера. Проведено розрахунок коефіцієнта режимної нестабільності. Розглянуто ефективність стабілізуючих впливів від негативного зворотнього зв’язку на змінному струмі, яка сприяє стабілізації практично всіх параметрів ТАІ. В якості параметра, що характеризує властивості ТАІ при наявності і відсутності зворотнього зв’язку розглянуто індуктивність. Наведено вираз для відносної похибки індуктивності при наявності НЗЗ на змінному струмі.