ОЦІНЮВАННЯ ЯКІСНОГО ВПЛИВУ ФАКТОРІВ НА ЧУТЛИВІСТЬ ВОЛОГОЧУТЛИВОГО МДН-КОНДЕНСАТОРА НА ОСНОВІ АМОРФНОГО СИЛІЦІЙ(IV) ОКСИДУ - КРИЛИК, ЛЮДМИЛА (Herald of Khmelnytskyi National University. Technical sciences, 2024)
В роботі застосовано багатофакторний дисперсійний аналіз для оцінювання якісного впливу факторів: товщина шару вологочутливого аморфного силіцій(IV)  оксиду; діаметр пор вологочутливого аморфного силіцій(IV)  оксиду, а також їх сумісний вплив на чутливість вологочутливого МДН-конденсатора на основі аморфного силіцій(IV)  оксиду. Розроблено багатофакторний план для двох якісних факторів. З використанням багатофакторного дисперсійного аналізу доведено, що на відгук моделі, тобто на чутливість вологочутливого МДН-конденсатора на основі аморфного силіцій(IV)  оксиду впливає фактор − це діаметр пор вологочутливого аморфного силіцій(IV)  оксиду. В цьому випадку значення критерію Фішера, яке спостерігається в експерименті значно перевищує критичне значення критерію Фішера, а саме, F >Fкр (16,44>4,75). Різниця в значеннях відгуку моделі пов’язана тільки зі зміною значення фактора. Вплив таких факторів – це  товщина шару вологочутливого аморфного силіцій(IV)  оксиду, сумісний вплив: товщина шару вологочутливого аморфного силіцій(IV)  оксиду + діаметр пор вологочутливого аморфного силіцій(IV)  оксиду є несуттєвим, тобто різниця в значеннях відгуку моделі обумовлена тільки випадковим характером (F < Fкр). На основі дисперсійного аналізу доведено, що на чутливість вологочутливого МДН-конденсатора на основі аморфного силіцій(IV)  оксиду впливає тільки розмір пор аморфного силіцій(IV)  оксиду.
Keywords: багатофакторний дисперсійний аналіз; фактор; відгук моделі; критерій Фішера; чутливість; аморфний силіцій(IV) оксид; діаметр пор; пори; поруватий SiO2