АНАЛІЗ ЗАЛЕЖНОСТЕЙ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРНИХ АНАЛОГІВ ІНДУКТИВНОСТІ ВІД ТЕМПЕРАТУРИ - ОСАДЧУК, ОЛЕКСАНД; ДУМЕНКО, ДЕНИС (Herald of Khmelnytskyi National University. Technical sciences, 2023)
У статті проаналізовано залежності параметрів транзисторних аналогів індуктивності(ТАІ) від температури. Розглянутий вплив температури на елементи першої групи.  Розглянуто вплив температури на параметри електричної моделі транзистора. Визначено основні формули, які можна використати при практичних розрахунках задля визначення опору емітера в інтервалі температур застосування транзистора  від -160 до 160 градусів за Цельсієм. Визначений залежність ємності емітерного переходу в інтервалі температури від -70 до 70 градусів за Цельсієм, наведені відповідні формули для її обрахунку. Досліджено залежність опору бази транзистора від температури окремо для кремнієвих, та окремо для кремній-германієвих транзисторних структур, наведені відповідні вирази залежностей. Проаналізована залежність значення ємності колекторного переходу транзисторної структури від температури, визначені її залежності як для кремнієвих, так і для кремній-германієвих транзисторів. Виведена залежність, яка є справедливою при температурі від 0 до 80 градусів за Цельсієм. Досліджений коефіцієнт передачі струму, та його залежність від температури, наведені відповідні розрахунки, що доводять цю залежність, яка є справедливою при температурі від -70 до 70 градусів за Цельсієм. Також було досліджено залежність граничної частоти роботи транзистора від температури, виведені коригуючи коефіцієнти для дрейфових та бездрейфових транзисторів, наведені відповідні розрахунки та формули. Приведені графіки залежностей опору емітерного переходу та опору бази від температури. Для всіх досліджених параметрів транзисторної структури виведені основні температурні діапазони, що будуть справедливими при застосуванні в зазначених межах. Зроблені висновки про відповідні можливості застосування при рості чи зниженні температури, та необхідні дії для збереження ефективного використання транзисторних структур в таких умовах.
Keywords: параметри; температура; транзистор; індуктивність; частота; струм; емітер; колектор; база; добротність; навантаження; кремній; діапазон